Transistor MOSFET IRF630

Transistor MOSFET IRF630

> SKU: BOX006

IRF630 – MOSFET canal N 200V / 9A, idéal pour commandes de moteurs et alimentations à découpage.

TND 3,60

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Description


Transistor MOSFET IRF630

Description

L’IRF630 est un transistor MOSFET canal N conçu pour les applications de commutation et d’amplification de puissance moyenne. Il est idéal pour les circuits de contrôle de moteurs, alimentations à découpage et circuits industriels nécessitant une commutation rapide et fiable.

Caractéristiques

  • Type : MOSFET canal N
  • Tension drain-source maximale (Vds) : 200 V
  • Courant drain maximal (Id) : 9 A
  • Résistance à l’état passant (Rds(on)) : ~0.18 Ω
  • Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
  • Dissipation de puissance maximale : 125 W
  • Boîtier : TO-220
  • Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

Applications

  • Commande de moteurs DC
  • Alimentations à découpage
  • Convertisseurs DC-DC
  • Amplificateurs de puissance
  • Projets électroniques industriels

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