Description
Transistor MOSFET IRF530
Description
L’IRF530 est un transistor MOSFET canal N conçu pour les applications de commutation et d’amplification moyenne puissance. Il est idéal pour les circuits de commande de moteurs, alimentations à découpage et circuits industriels nécessitant une commutation rapide.
Caractéristiques
- Type : MOSFET canal N
- Tension drain-source maximale (Vds) : 100 V
- Courant drain maximal (Id) : 14 A
- Résistance à l’état passant (Rds(on)) : ~0.16 Ω
- Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
- Dissipation de puissance maximale : 75 W
- Boîtier : TO-220
- Température de fonctionnement : -55°C à +150°C
Applications
- Commande de moteurs DC
- Alimentations à découpage
- Convertisseurs DC-DC
- Amplificateurs de puissance
- Projets électroniques industriels



















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