Transistor MOSFET IRF830

Transistor MOSFET IRF830

> SKU: BOX003

IRF830 – MOSFET canal N 500V / 4A, idéal pour alimentations à découpage haute tension et commandes de moteurs.

TND 3,60

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Description

Transistor MOSFET IRF830

Description

L’IRF830 est un transistor MOSFET canal N haute tension conçu pour des applications de commutation et d’amplification. Il est adapté aux circuits d’alimentation à découpage, aux commandes de moteurs et aux systèmes électroniques nécessitant une haute tension.

Caractéristiques

  • Type : MOSFET canal N
  • Tension drain-source maximale (Vds) : 500 V
  • Courant drain maximal (Id) : 4 A
  • Résistance à l’état passant (Rds(on)) : ~1.2 Ω
  • Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
  • Dissipation de puissance maximale : 125 W
  • Boîtier : TO-220
  • Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

Applications

  • Alimentations à découpage haute tension
  • Commande de moteurs DC
  • Convertisseurs DC-DC
  • Amplificateurs de puissance
  • Applications industrielles nécessitant une haute tension

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