Transistor MOSFET IRF640

Transistor MOSFET IRF640

> SKU: BOX001

IRF640 – MOSFET canal N 200V / 18A, idéal pour l’alimentation à découpage, la commande moteur et les applications industrielles.

TND 3,60

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Description

Transistor MOSFET IRF640

Description

L’IRF640 est un transistor MOSFET canal N de puissance, conçu pour des applications de commutation et d’amplification haute tension. Il offre une faible résistance à l’état passant et une bonne capacité de gestion des courants élevés, ce qui le rend idéal pour les alimentations à découpage, les circuits de commande de moteurs et les applications industrielles.

Caractéristiques

  • Type : MOSFET canal N
  • Tension drain-source maximale (Vds) : 200 V
  • Courant drain maximal (Id) : 18 A
  • Résistance à l’état passant (Rds(on)) : ~0.18 Ω
  • Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
  • Dissipation de puissance maximale : 125 W
  • Boîtier : TO-220
  • Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

Applications

  • Alimentations à découpage
  • Commande de moteurs DC
  • Convertisseurs DC-DC
  • Amplificateurs audio de puissance
  • Applications industrielles haute tension

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