Transistor MOSFET IRF820

Description

Transistor MOSFET IRF820

Description

L’IRF820 est un transistor MOSFET canal N haute tension, adapté aux applications de commutation et d’amplification de puissance. Il est parfait pour les alimentations à découpage, convertisseurs DC-DC, commandes de moteurs et projets électroniques nécessitant une fiabilité élevée et une commutation rapide.

Caractéristiques

• Type : MOSFET canal N
• Tension drain-source maximale (Vds) : 500 V
• Courant drain maximal (Id) : 6 A
• Résistance à l’état passant (Rds(on)) : ~0.85 Ω
• Tension de seuil (Vgs(th)) : 2 – 4 V
• Dissipation de puissance maximale : 150 W
• Boîtier : TO-220
• Température de fonctionnement : -55°C à +150°C

Applications

• Commande de moteurs DC
• Alimentations à découpage
• Convertisseurs DC-DC
• Amplificateurs de puissance
• Projets électroniques industriels